ELTE Komplex Rendszerek Fizikája Tanszék teája

Dankházi Zoltán (ELTE Anyagfizikai Tanszék)
Hosszú vajúdás: a kék LED

  Már az 50-es évek végén megnyílt az elvi lehetőség a közelmúltban elindult
 LED-es világítási technológia kialakítására. A GaN, melynek akkoriban mérték
 meg a gap-jét, ígéretes anyagnak bizonyult. Különböző aktivátorok használatával
 széles spektrumban sikerült foto-lumineszcenciát létrehozni GaN félvezetővel,
 de a technológiai nehézségek miatt - csak apró kristályokat tudtak előállítani,
 amelyben nem lehetett P-N átmenet létrehozni - a kutatók többsége más irányban
 kezdett vizsgálódni. Az idei fizikai Nobel-díj nyertesei megmaradtak a GaN
 tanulmányozásánál és kitartó munkájuk LED-fényes eredményre vezetett. E hosszú
 kutatás főbb állomásait mutatja be az előadás.

  Az előadás kezdete: december 9-én, kedden 14:00
Helye: ELTE TTK északi épület, 5.128-as terem.